چینچینایی
English
د فاسټ سویچ تایریسټر ځانګړی انځور
  • ګړندی سویچ تایریسټر
  • ګړندی سویچ تایریسټر
  • ګړندی سویچ تایریسټر
  • ګړندی سویچ تایریسټر
  • ګړندی سویچ تایریسټر

ګړندی سویچ تایریسټر

لنډ معلومات:


د PDF په توګه ډاونلوډ کړئ

د محصول تفصیل

د محصول ټګ

ګړندی سویچ تایریسټر

تفصیل:

ګړندی سویچ تایریسټر ، د ورته جوړښت او د مرحلې کنټرول thyristor سمبول سره ، پداسې حال کې چې غوره جامد ځانګړتیاوې ، په ځانګړي توګه متحرک ځانګړتیاوې د لوړ فریکونسۍ غوښتنلیک د اصلاح ، چپ کولو ، انورټر او فریکونسۍ تبادلې سرکټ لخوا اړین دي.د تیز تایریسټور متحرک پیرامیټرونه د ګړندي ګرځیدو سرعت او د توزیع کولو سرعت ، د بیرته راګرځیدو لږ چارج ، او د بندیدو لنډ وخت ، د اوسني حالت لوړ مهم لوړوالی (di/dt) او د کریټیټ نرخ. د غیر دولتي ولتاژ زیاتوالی (dv/dt).د ګړندۍ تایریسټور په درجه بندي شوي فریکونسۍ کې د ریډ شوي جریان اندازه نه کمیږي یا یو څه کمیږي کله چې فریکونسۍ ډیریږي.

د RUNAU الیکترونیک ګړندی سویچ تایریسټر تولید معیار او پروسس کولو ټیکنالوژي له 1980s راهیسې د متحده ایالاتو څخه معرفي شوې ، په چین کې د تایریسټور تولید مخکښ په توګه ، د RUNAU تخنیکي ټیم د 30 کلونو څخه ډیر وخت لپاره د عصري پوهه او کافي تولید تجربه ترلاسه کړې.د دودیز تولید پروسې په اساس، د RUNAU الیکترونیک تکنیک پوهانو د thyristor په جوړولو کې د اروپایي محصولاتو د ګټو ځانګړتیاو سره د دولت په کچه عصري ټیکنالوژي رامینځته کړې، کیفیت او فعالیت خورا ښه شوی، د بریښنا بریښنایی غوښتنلیکونو کې ډیرې لویې لاسته راوړنې، او د شریکانو لپاره ډیر ارزښت رامینځته شوی.

پیژندنه:

1. چپنه

د thyristor چپ د RUNAU Electronics لخوا جوړ شوی د sintered alloying ټیکنالوژي کارول کیږي.د سیلیکون او مولیبډینم ویفر د خالص المونیم (99.999٪) لخوا د لوړ خلا او د تودوخې لوړ چاپیریال لاندې د الیاژ کولو لپاره سینټر شوی.د سینټرینګ ځانګړتیاو اداره کول د تایریسټور کیفیت اغیزه کولو کلیدي فاکتور دی.د RUNAU الیکترونیک پوهه د دې سربیره چې د الیاژ جنکشن ژوروالی اداره کوي ، د سطح فلیټ ، د مصر غار او همدارنګه د بشپړ خپریدو مهارت ، د حلقوي حلقې نمونه ، د ځانګړي دروازې جوړښت.همدارنګه د وسیلې د کیریر ژوند کمولو لپاره ځانګړي پروسس شوي ، نو د داخلي کیریر بیا ترکیب سرعت خورا ګړندی شوی ، د وسیلې د بیرته راګرځیدو چارج کم شوی ، او په پایله کې د سویچ کولو سرعت ښه شوی.دا ډول اندازه کول د ګړندۍ سویچ کولو ځانګړتیاو ، د دولتي ځانګړتیاو ، او اوسني ملکیت زیاتولو لپاره پلي شوي.د thyristor فعالیت او ترسره کولو عملیات د باور وړ او اغیزمن دي.

2. Encapsulation

د مولیبډینم ویفر او بهرنۍ کڅوړې د فلیټ او موازي کنټرول په واسطه ، چپ او مولیبډینم ویفر به په کلکه او په بشپړ ډول د بهرني کڅوړې سره مدغم شي.دا به د سرج اوسني او لوړ شارټ سرکټ اوسني مقاومت ته وده ورکړي.او د الکترون تبخیر ټیکنالوژۍ اندازه کول د سیلیکون ویفر سطح کې د یو موټی المونیم فلم رامینځته کولو لپاره ګمارل شوي ، او د مولیبډینم سطح باندې پلی شوي روټینیم پرت به د تودوخې ستړیا مقاومت خورا لوړ کړي ، د ګړندي سویچ تایریسټور کاري ژوند وخت به د پام وړ لوړ شي.

تخنیکي مشخصات

  1. ګړندی سویچ تایریسټور د مصر د ډول چپ سره چې د RUNAU الکترونیک لخوا تولید شوی ، د I لړۍTAVله 200A څخه تر 4000A او V پورېد ‏‎DRM‎‏ پاڼې اړوند نور معلومات په فسبوک کې اوګورئ/VRRMله 1200V څخه تر 4500V پورې.
  2. IGT، ویGTاو زهHد ازموینې ارزښتونه په 25℃ کې دي، پرته لدې چې بل ډول وویل شي، نور ټول پیرامیټونه د T لاندې د ازموینې ارزښتونه ديjm;
  3. I2t= زه2F SM×tw/2, tw= د سینوسایډال نیم څپې اوسني بیس عرض.په 50Hz کې، I2t=0.005I2FSM(A2س);
  4. په 60Hz کې: IFSM(8.3ms) = زهFSM(10ms)×1.066,Tj=Tj;زه2t(8.3ms)=I2t(10ms)×0.943,Tj=Tjm

پیرامیټر:

ټایپ IT(AV) A TC℃ Vد ‏‎DRM‎‏ پاڼې اړوند نور معلومات په فسبوک کې اوګورئ/VRRM V ITSM@TVJIM&10ms A I2t A2s VTM @IT&TJ=25℃ V/A tq μs Tjm℃ Rjc℃/W Rcs℃/W F KN m kg کوډ
ولتاژ تر 1400V پورې
KK200-** ۲۰۰ 55 1200~1400 ۲۸۰۰ 3.9x104 2.20 ۶۴۰ 20 ۱۲۵ 0.0600 0.0100 10 0.08 T2A
KK500-** ۵۰۰ 55 1200~1400 ۷۵۰۰ 2.8x105 2.00 ۱۵۷۰ 20 ۱۲۵ 0.0390 0.0080 15 0.26 T5C
KK800-** ۸۰۰ 55 1200~1400 12000 7.2x105 2.00 2400 20 ۱۲۵ 0.0300 0.0060 20 0.33 T7C
KK1000-** ۱۰۰۰ 55 1200~1400 15000 1.1x106 2.00 3000 20 ۱۲۵ 0.0220 0.0050 25 0.46 T8C
KK1200-** ۱۲۰۰ 55 1200~1400 18000 1.6x106 2.00 3000 20 ۱۲۵ 0.0200 0.0050 27 0.5 T8C
KK1500-** ۱۵۰۰ 55 1200~1400 ۲۲۵۰۰ 2.5x106 1.90 3000 20 ۱۲۵ 0.0160 0.0045 28 0.65 T10C
KK1800-** ۱۸۰۰ 55 1200~1400 25200 3.2x106 1.90 3000 20 ۱۲۵ 0.0150 0.0045 30 0.72 T11C
KK2400-** 2400 55 1200~1400 33600 5.6x106 1.70 3000 22 ۱۲۵ 0.0120 0.0040 33 0.72 T11C
KK3000-** 3000 55 1200~1400 42000 8.8x106 1.60 3000 22 ۱۲۵ 0.0100 0.0030 35 0.72 T13C
ولتاژ تر 2000V پورې
KK500-** ۵۰۰ 55 1600~2000 7000 2.5x105 2.50 ۱۵۷۰ 30 ۱۲۵ 0.0390 0.0080 15 0.26 T5C
KK800-** ۸۰۰ 55 1600~2000 ۱۱۲۰۰ 6.3x105 2.60 2400 30 ۱۲۵ 0.0300 0.0060 20 0.33 T7C
KK1000-** ۱۰۰۰ 55 1600~2000 14000 9.8x105 2.40 3000 30 ۱۲۵ 0.0220 0.0050 25 0.46 T8C
KK1200-** ۱۲۰۰ 55 1600~2000 16800 1.4x106 ۲.۳۰ 3000 30 ۱۲۵ 0.0200 0.0050 27 0.5 T8C
KK1500-** ۱۵۰۰ 55 1600~2000 21000 2.2x106 2.20 3000 30 ۱۲۵ 0.0160 0.0050 28 0.65 T9C
KK1800-** ۱۸۰۰ 55 1600~2000 25200 3.2x106 2.10 3000 35 ۱۲۵ 0.0150 0.0045 30 0.72 T11C
KK2000-** 2000 55 1600~2000 28000 3.9x106 2.00 3000 35 ۱۲۵ 0.0125 0.0040 33 0.85 T11C
KK2700-** 2700 55 1600~2000 37800 7.1x106 1.90 3000 40 ۱۲۵ 0.0100 0.0030 35 ۱.۱ T13C
KK3600-** ۳۶۰۰ 55 1600~2000 50400 12.5x106 1.40 3000 40 ۱۲۵ 0.0080 0.0020 60 1.3 T14C
ولتاژ تر 3000V پورې
KK1000-** ۱۰۰۰ 55 2500 ~ 3000 12000 7.2x105 2.90 3000 55 ۱۲۵ 0.0220 0.0050 25 0.46 T8C
KK1200-** ۱۲۰۰ 55 2500 ~ 3000 ۱۴۴۰۰ 1.0x106 2.80 ۳۰۰۱ 55 ۱۲۵ 0.0200 0.0050 27 0.5 T8C
KK1500-** ۱۵۰۰ 55 2500 ~ 3000 ۱۸۵۰۰ 1.7x106 2.70 ۳۰۰۲ 60 ۱۲۵ 0.0160 0.0050 28 0.65 T9C
KK1800-** ۱۸۰۰ 55 2500 ~ 3000 21600 2.3x106 2.60 ۳۰۰۳ 60 ۱۲۵ 0.0150 0.0045 30 0.72 T11C
KK2000-** 2000 55 2500 ~ 3000 24000 2.9x106 2.40 ۳۰۰۴ 60 ۱۲۵ 0.0125 0.0040 33 0.85 T11C
KK2500-** ۲۵۰۰ 55 2500 ~ 3000 30000 4.5x106 2.20 ۳۰۰۵ 60 ۱۲۵ 0.0100 0.0030 35 ۱.۱ T13C
KK3000-** 3000 55 2500 ~ 3000 36000 6.5x106 1.90 ۳۰۰۶ 60 ۱۲۵ 0.0080 0.0020 60 1.4 T15C
KK4000-** 4000 55 2500 ~ 3000 48000 1.2x107 1.80 ۳۰۰۷ 60 ۱۲۵ 0.0060 0.0015 80 1.9 T16D
ولتاژ تر 3500V پورې
KK1800-** ۱۸۰۰ 55 3200 ~ 3500 21600 2.3x106 2.90 3000 80 ۱۲۵ 0.0100 0.0030 35 ۱.۱ T13C
KK2500-** ۲۵۰۰ 55 3200 ~ 3500 30000 4.5x106 2.50 3000 80 ۱۲۵ 0.0080 0.0020 60 1.4 T15C
ولتاژ تر 4500V پورې
KK3708-** ۳۷۰۸ 55 ۴۵۰۰ 50000 1.3x107 2.10 4000 ۲۵۰ ۱۲۵ 0.0060 0.0015 80 1.9 T16D
  • مخکینی:
  • بل:
    • خپل پیغام دلته ولیکئ او موږ ته یې واستوئ
    د لټون لپاره Enter یا ESC د بندولو لپاره ټک وکړئ